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张瑞

作者: 时间:2020-01-10 点击数:

姓名

张瑞

性别

出生年月

1985年9月

政治面貌

中共党员

民族

籍贯

山西壶关

学历/学位

研究生/博士

职称

副教授

是否硕导/博导

硕导

个人邮箱

zrzx_0921@tyust.edu.cn

研究方向

石墨烯等二维材料、离子束材料改性研究、

钙钛矿量子点发光

主讲课程

大学物理,光学,大学物理实验

学术兼职


学习及工作经历

2005.09—2009.06长治学院物理系物理学专业学习,获理学学士学位;

2009.09—2014.07武汉大学物理科学与技术学院,粒子物理与原子核物理专业硕博连读,获理学博士学位;

2010.03—2012.08东国大学(韩国)纳米信息科学技术系,智能发光与显示专业学习,获理学硕士学位;

2014.07—至今 太原科技大学应用科学学院教师.

获奖情况

1.山西省“三晋英才”

2.2014年11月获湖北省第十五届自然科学优秀学术论文二等奖

3.Graphene synthesis on SiC: Reduced graphitization temperature by C-cluster and Ar-ion implantation,山西省科学技术厅,第十九届山西省优秀论文,三等奖,2018

课题与项目

1.国家自然科学基金青年科学基金项目,11705124,基于可控硅纳米晶的光控阻变存储器调控机制研究,2018.01-2020.12,25万元,在研,主持。

2.国家自然科学基金应急管理项目,11647037,低温制备石墨烯/碳化硅FET器件的理论模拟研究,2017/01- 2017/12,5万元,在研,主持。

3.山西省青年科技研究基金,201601D021023,团簇离子束混合技术制备石墨烯/碳化硅FET器件,2016/01-2018/12,3万元,在研,主持。

4.山西省高等学校科技创新项目,2016166,高温原位离子注入碳化硅制备石墨烯FET器件,2016/06-2018/06,2万元,在研,主持。

5.校博士启动金,20152004,离子注入碳化硅降低合成石墨烯的温度,2015/01-2018/12,5万元,在研,主持。

★专著

1.张瑞;离子注入法制备石墨烯,中国原子能出版社。251千字,2019.

★专利

张瑞;王进斌;袁耀欣;张建峰;一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法,2020-01-14,中国,201910918926.1

发表论文

1.R. Zhang, Y. Yuan, J. Li, Z. Qin, Q. Zhang, B. Xiong, Z. Wang, F. Chen, X. Du, W. Yang, Ni and K ion doped CsPbX3 NCs for the improvement of luminescence properties by a facile synthesis method in ambient air, Journal of Luminescence, 221 (2020) 117044.

2.Rui Zhang, Fenghua Chen, Jinbin Wang, Dejun Fu, Transfer-free synthesis of graphene-like atomically thin carbon films on SiC by ion beam mixing technique, Nucl. Instrum. Methods. Phys. Res. B, 2018, 418:27-33

3.Rui Zhang,R. Zhang, H. Li, Z.D. Zhang, Z.S. Wang, S.Y. Zhou, Z. Wang, T.C. Li, J.R. Liu, D. J. Fu, ‘Graphene synthesis on SiC: Reduced graphitization temperature by C-cluster and Ar-ion implantation’,Nucl. Instrum. Methods. Phys. Res. B, 356, 99 (2015)

4.Rui Zhang, Zaodi Zhang, Zesong Wang, Shixu Wang, Wei Wang, Dejun Fu and Jiarui Liu, ‘Nonlinear damage effect in graphene synthesis by C-cluster ion implantation’,Appl. Phys. Lett.101, 011905 (2012).

5.R. Zhang, Z. S. Wang, Z. D. Zhang, Z. G. Dai, L. L. Wang, H. Li, L. Zhou, Y. X. Shang, J. He, D. J. Fu, and J. R. Liu ‘Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation’,Appl. Phys. Lett.102, 193102 (2013).

6.R. Zhang, Sh. U. Yuldashev, J.C. Lee, V. Sh. Yalishev, T.W. Kang, D.J. Fu, ‘Memristive behavior of ZnO/NiO stacked heterostructure’,Microelectron. Eng.112, 31 (2013).

7.张瑞,张早娣,王泽松,王世旭,付德君,“低能团簇负离子束研究”,武汉大学学报,第60卷,第1期(2014)

8.张瑞,离子注入碳化硅实现低温下外延合成石墨烯,中国表面工程(中国学者海外论文摘要),第29卷,第6期(2016)

 

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